Sequential sputter and reactive precleans of vias and contacts

비아 및 컨택트의 순차적인 스퍼터 및 반응적 예비세정

Abstract

본 발명은 일반적으로 패턴된 유전층상에 증착된 금속의 전기적인 성능 및 충진 (fill) 을 향상시키기 위한 방법을 제공한다. 패턴된 유전층의 비아 및 트렌치 같은 개구들은 충진을 강화하기 위하여 에치되고, 그 후 동일한 체임버에서 세정되어 개구내의 금속산화물을 감소시킨다. 본 발명은 또한 본질적으로 아르곤으로 구성되고, 프로세싱 체임버를 둘러싸는 코일에 전력을 제공하고 기판을 지지하는 기판지지부재에 바이어스를 제공함으로써 생성되는 제 1 플라즈마로 프로세싱 체임버내에서 패턴된 유전층을 세정하는 단계, 본질적으로 수소 및 헬륨으로 구성되고, 프로세싱 체임버를 둘러싸는 코일로의 전력 제공을 증가시키고 기판을 지지하는 기판지지부재로의 바이어스 제공을 감소시킴으로써 생성되는 제 2 플라즈마로 프로세싱 체임버내에서 패턴된 유전층을 세정하는 단계, 상기 유전층을 상기 제 1 및 제 2 플라즈마에 노출시킨 후 상기 패턴된 유전층상에 배리어층을 증착하는 단계, 및 상기 배리어층에 금속을 증착하는 단계를 제공한다. 또한, 예비세정(pre-clean) 체임버, 물리기상증착 체임버, 에치 체임버, 및 다른 플라즈마 프로세싱 체임버를 포함하는, 통합된 프로세스 시퀀스의 다양한 플라즈마 프로세싱 체임버에서 순차적인 플라즈마 처리가 수행될 수 있다.

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-H0562957-AMarch 12, 1993Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社プラズマ洗浄法
    JP-S60174873-ASeptember 09, 1985Hitachi Cable LtdPretreatment of metallic substrate for vapor deposition

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